סמסונג השלים את הפיתוח של תהליך היציקה של 8 ננומטר שלו, ולפני שאתה יוצא וללכת לקרוא עוד על המצלמה של האייפון 8, זה למעשה עניין גדול. סמסונג לקחה את התהליך החדש והקטן יותר לייצור שלושה חודשים לפני המועד, ולפני שמתחרתה אינטל תוכל להפעיל את תהליך ה-10 ננומטר שלה.
טק. בידור. מַדָע. תיבת הדואר הנכנס שלך.
הירשם לחדשות הטכנולוגיה והבידור המעניינות ביותר שיש.
בהרשמה אני מסכים ל תנאי שימוש וסקרו את הודעת פרטיות.
התהליך החדש של 8 ננומטר משתמש באותה טכנולוגיה שסמסונג כבר משתמשת עבור שבבים קיימים של 10 ננומטר, הנקראת "הספק נמוך פלוס". המעבר לא תהליך של 8 ננומטר אמור להיות חיסכון של כ-10 אחוז ביעילות אנרגטית, כמו גם חיסכון של 10 אחוז בגודל השבבים עצמם.
תהליך ה-8 ננומטר הוא רק פער עצירה עבור סמסונג בדרכה לדבר הגדול הבא בייצור שבבים, ליתוגרפיה אולטרה סגולה קיצונית (EUV). תהליך זה יאפשר לסמסונג ואחרות לייצר שבבים בקנה מידה של 7 ננומטר. אך לעת עתה, שימוש בתהליך "הספק נמוך פלוס" הקיים יאפשר לסמסונג להגביר את הייצור של שבבים של 8 ננומטר במהירות.
לשם כך, סמסונג דבקה בשותפתה המסורתית קוואלקום. השבבים של 8 ננומטר אמורים להופיע במעבדי Snapdragon ניידים בתחילת השנה הבאה, מה שהופך אותם למהירים, זולים וקטנים יותר מהמעבדים הקיימים.
זו לא קפיצת מדרגה גדולה עבור סמסונג וקוואלקום, אבל זו עוד מכה גדולה עבור אינטל. החברה ששלטה בעבר בייצור שבבים למכשירים אלקטרוניים באמת ירדה מהכדור בכל הנוגע למעבדים ניידים. אינטל פיגרה מאחורי תעשיית המעבדים הניידים בכל הנוגע לייצור שבבים בעלי הספק נמוך המיועדים לטאבלטים ולמחשבים ניידים. אינטל עדיין לא שחררה שבבים של 10 ננומטר, וסביר להניח שלא תעשה זאת עד 2018 או 2019.
